Монокристален силициев сферичен огледален материал със свръхниски загуби за прецизни EUV системи
Проектирано да постигне грапавост на повърхността <0.1 nm и чистота на материала 99.9999%, нашето сферично огледало от монокристален силиций със свръхниски загуби предефинира оптичната прецизност за литография в екстремни ултравиолетови (EUV) лъчи, квантови изчисления и аерокосмически системи. С вертикално интегрирано производство от растежа на кристали до сертифицирана по ISO метрология, ние доставяме огледала, които поддържат точност на повърхността λ/10 дори при термични натоварвания от 500K.

параметри
| Параметър |
Спецификация |
| Измерение |
1)D=φ12.7-φ50.8mm(допуск±0.1),H=4-8mm D:H>4:1(допуск±0.5) 2)D50.8-φ100mm(толеранс±0.1),H=10-25mm D:H>4:1 (толеранс ±0.5) |
| Размер на началния удар |
φ7.5-45mm |
| Площ на покритие |
конвенционален размер D12.7, размер на площта на покритие 7.5; D25 размер на площта на покритие 10, друг размер на площта на покритие може да бъде персонализиран |
| кривина |
SR: 500-8000 мм (с възможност за персонализиране), точност ±0.05% |
| Повърхностна точност |
λ/2-λ/10 @632.8nm |
| Сферична точност |
30"-3' |
| грапавост |
Ra0.12nm (Zygo профилометър) тестова зона 173*173um измерване на пълна честота |
| слой |
R ≥ 99.999%, загуба 2-6ppm, T: 3-5ppm (632-1550nm) |
| Материал |
Монокристален силиций |
| фаска |
0.2~0.5*45° |
| може да се персонализира според нуждите на потребителя. |
Защо нашите огледала са превъзходни
Съвършенство на повърхността на атомно ниво
- Гладкост под Ангстрьом: Постигане на грапавост ≤0.12 nm Ra чрез магнитореологична обработка, елиминиране на разсейването на светлината при EUV литография и инспекция в тъмно поле – критично за производството на 3nm чипове, където дори неравности в атомен мащаб биха изкривили светлината от 13.5 nm, осигурявайки безупречно моделиране и откриване на дефекти.
- Нулеви подповърхностни повреди: Полирането без напрежение предотвратява лазерно индуцирани фрактури, жизненоважни за огледалата на EUV колекторите и LDI системите, където материалното напрежение може да причини катастрофална повреда при импулси с висока мощност, поддържайки целостта си в продължение на 10⁸+ цикъла в полупроводниковите фабрики.
- Кристалографска еднородност: Отклонение от ориентацията <0.1° по цялата повърхност осигурява постоянни оптични свойства, ключово за инструментите за оформяне на лъча и инспекция с фотолитография – тази еднородност предотвратява локализирани спадове в производителността, което е от решаващо значение за надеждното производство на 3nm възли и високопрецизния анализ на дефекти.
Оптимизирана по EUV производителност
- 95%+ отражателна способност при дължина на вълната 13.5 nm: Осигурява максимално използване на фотоните в EUV литографията за производство на 3 nm чипове, където всеки 13.5 nm фотон е критичен за прецизното моделиране – тази висока отражателна способност минимизира загубите на енергия, повишавайки производителността в полупроводниковите фабрики, зависими от ефективното използване на светлината.
- <5 ppm загуба на абсорбция дори при EUV поток от 20 W/cm²: Предотвратява прекомерното нагряване и влошаване на производителността във високомощни EUV системи, поддържайки стабилност в колекторните огледала и оформящите лъча устройства при интензивен поток, което е от решаващо значение за избягване на термично изкривяване, което би разрушило схемите на 3nm възлови схеми.
- Стабилност на термично разширение от 0.05 ppm/K: Гарантира размерна консистентност при температурни колебания в EUV инструменти, осигурявайки точност на подравняване във фотолитография и инспекционни системи – тази стабилност предотвратява неправилно подравняване, което би могло да компрометира производствената прецизност от 3 nm, дори когато работните температури варират.
Надеждност от критично значение за мисията
- 10-годишен живот при 24/7 работа с висока енергия: Осигурява дългосрочна надеждност в EUV литографски системи, работещи непрекъснато, намалявайки времето за престой за подмяна в 3nm чипове - тази издръжливост съответства на високата отражателна способност и ниското поглъщане, поддържайки постоянна производителност през годините на интензивно излагане на 13.5nm фотони.
- Устойчивост на удари/вибрации, съвместима с MIL-O-13830A: Издържа на механично натоварване при транспорт и работа, което е от решаващо значение за EUV инструменти, премествани между съоръжения или изложени на фабрични вибрации, предотвратявайки промени в подравняването, които биха нарушили 3nm моделиране, допълвайки термичната стабилност за цялостна здравина.
- Специализирани AR покрития за потискане на обратните отражения 632-1550 nm: Елиминират смущенията от разсеяни дължини на вълните в многосистемни конфигурации, гарантирайки, че 13.5 nm EUV светлината остава безкомпромисна - тази прецизност подобрява точността на фотолитографията, съчетавайки се с ниско поглъщане, за да оптимизира ефективността на производството на 3 nm възли.
Прецизно проектиран за производство на 3nm чипове
Нашето сферично огледало от монокристален силициев диоксид със свръхниски загуби позволява производството на полупроводници от следващо поколение чрез:
1. Елиминиране на изкривяването на модела чрез точност на вълновия фронт λ/20
2. Намаляване на циклите на подмяна на огледала с 40% чрез бездефектни повърхности
3. Поддържане на кохерентност на лъча с <0.001% термичен дрейф при 500K
Доверен от глобални иноватори
„След като преминахме към техните сферични огледала, постигнахме с 1.8% по-висок добив на пластини в нашата производствена линия за 5nm възли.“ – Главен инженер, Топ 3 производители на полупроводници
Персонализиране и съответствие
- Гъвкавост на размерите: От микрооптика φ7.5 мм до подложки с размер 100 мм
- Опции за покритие:
- Широколентов UV-IR (250-2000 nm)
- Лазер с тясна ширина на линията (±0.1 nm)
- EUV-оптимизирани многослойни стекове
- Сертификати:
- Производство, сертифицирано по ISO 9001/14001
- Без ITAR, съвместим с REACH/ROHS
- Пълна готовност за одит на доставчици по ASML

Въпроси и Отговори
В: Как се предотвратява термичната деформация в приложения с висока мощност?
A: Нашите огледала използват ултраниския CTE (0.05 ppm/K) на монокристалния силиций, комбиниран с монтаж без напрежение, ограничавайки отклонението на формата до <1 nm дори при 500K.
В: Какви мерки за контрол на качеството гарантират бездефектни повърхности?
A: Всяко сферично огледало от единичен кристален силиций със свръхниски загуби претърпява:
- Интерферометрия с бяла светлина (резолюция 0.1 nm)
- 100% картографиране на дефекти чрез микроскопия в тъмно поле
- LIDT тестване до 50 MW/cm²
В: Можете ли да постигнете съответствие със съществуващите спецификации за покритие на OEM?
A: Да. Споделете вашите изисквания за крива на отражение и нашият екип за покрития ще ви предостави решения, оптимизирани за загуби, в рамките на 72 часа.
Заявете безплатна симулация на огледало
Готови ли сте да подобрите оптичните си системи с нашето сферично огледало от монокристален силиций със свръхниски загуби ? Нашият екип от експерти е тук, за да ви помогне да намерите идеалното решение за вашия проект.
Имейл: xachaona@163.com